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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.3
18.5
写入速度,GB/s
8.0
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3787
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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