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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.8
11.6
写入速度,GB/s
12.5
13.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2783
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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