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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
24
读取速度,GB/s
17.8
19.9
写入速度,GB/s
12.5
17.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
4001
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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