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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.8
18.6
写入速度,GB/s
12.5
14.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3480
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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