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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
17.8
写入速度,GB/s
1,590.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3285
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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