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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.8
20.2
写入速度,GB/s
12.5
16.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3925
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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