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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
17.8
10.3
写入速度,GB/s
12.5
8.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2311
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
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