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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
20
读取速度,GB/s
10.5
19.8
写入速度,GB/s
7.1
14.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3470
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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