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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

总分
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

总分
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 29
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.4 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    10.5 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 11.4
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1425 left arrow 2549

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较

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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
内存RAM
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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