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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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规格
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
13.6
14.3
写入速度,GB/s
8.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
2929
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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