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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.9
12.2
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2869
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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