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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
20
读取速度,GB/s
12.9
19.4
写入速度,GB/s
9.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3217
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
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A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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