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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.9
15.8
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2824
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
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