RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2824
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link