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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
54
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
35
读取速度,GB/s
9.2
11.0
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2246
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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