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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,025.3
13.3
写入速度,GB/s
2,107.0
10.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2442
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
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