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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
18.2
写入速度,GB/s
2,107.0
14.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3663
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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