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PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.8
13.8
写入速度,GB/s
8.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2369
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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