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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,025.3
12.4
写入速度,GB/s
2,107.0
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
1511
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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