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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
58
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.1
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
2,107.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
40
读取速度,GB/s
4,025.3
9.1
写入速度,GB/s
2,107.0
6.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
1764
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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