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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    58 left arrow 100
    左右 42% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.2
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 2,107.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 100
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 15.2
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 1479

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较

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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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