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Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
比较
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
总分
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
总分
AMD R534G1601U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
68
读取速度,GB/s
14.1
6.5
写入速度,GB/s
8.7
4.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2207
1209
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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