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Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
比较
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
总分
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
总分
AMD R534G1601U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
68
读取速度,GB/s
14.1
6.5
写入速度,GB/s
8.7
4.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2207
1209
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB RAM的比较
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Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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