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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
15.6
16.7
写入速度,GB/s
11.8
13.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3202
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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