RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3202
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link