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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905701-003.A00G 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
15.6
16.4
写入速度,GB/s
11.8
12.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3244
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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