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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
55
左右 7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
55
读取速度,GB/s
15.6
19.0
写入速度,GB/s
11.8
9.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2239
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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