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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
15.6
13.2
写入速度,GB/s
11.8
9.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
1989
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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