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Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
39
读取速度,GB/s
13.8
13.0
写入速度,GB/s
7.9
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
2808
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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