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Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
7.9
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
2717
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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