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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
42
左右 -163% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
16
读取速度,GB/s
9.7
22.2
写入速度,GB/s
6.0
17.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3834
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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