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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
7.7
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.0
4.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
63
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
60
读取速度,GB/s
7.7
6.4
写入速度,GB/s
5.0
4.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
1400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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