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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
7.7
14.1
写入速度,GB/s
5.0
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2434
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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