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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2517
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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