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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
19.5
写入速度,GB/s
8.6
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3572
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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