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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.9
16.0
写入速度,GB/s
8.6
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3238
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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