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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
24
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
24
读取速度,GB/s
17.0
15.3
写入速度,GB/s
11.5
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2353
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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