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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.9
17.9
写入速度,GB/s
8.6
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3705
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB RAM的比较
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
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