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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
13.9
13.9
写入速度,GB/s
8.6
8.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2236
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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