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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
51
77
左右 -51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.9
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
51
读取速度,GB/s
2,936.9
9.9
写入速度,GB/s
1,884.0
8.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2314
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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