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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
58
读取速度,GB/s
13.9
9.7
写入速度,GB/s
8.6
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2172
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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