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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
11.8
写入速度,GB/s
8.6
5.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1984
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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