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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
9.0
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3673
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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