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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
52
读取速度,GB/s
13.9
10.4
写入速度,GB/s
8.6
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2384
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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