Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

总分
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 37
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.7 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.7 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 12800
    左右 1.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    13.9 left arrow 14.7
  • 写入速度,GB/s
    8.6 left arrow 10.7
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2395 left arrow 2935
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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