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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.6
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2548
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
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Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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