RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2548
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link