RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2548
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link