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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3386
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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