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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3386
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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