RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3386
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link